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TSM900N06CW RPG /MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
TSM900N06CW RPG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:76 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:9.3 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:5.3 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18.4 ns

典型接通延迟时间:2.9 ns

单位重量:260 mg

供应商TSM900N06CW RPG
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