TSM900N06CW RPG
/MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
TSM900N06CW RPG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:9.3 nC
最小工作温度:-
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:4.7 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:5.3 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:9.5 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:18.4 ns
典型接通延迟时间:2.9 ns
单位重量:260 mg
TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet | 1:¥4.0002 10:¥3.3787 100:¥2.5425 500:¥1.8645 2,500:¥1.2769 5,000:查看
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